> 상품 > 전자 반도체

전자 반도체

이미지부분 #기술제조 업체주식가격 요구
품질 MRFE6VP5300NR1 공장

MRFE6VP5300NR1

RF Power Discrete Transistors
NXP 반도체
품질 BLC9G27XS-380AVTZ 공장

BLC9G27XS-380AVTZ

RF Power Discrete Transistors
앰프리언 미국 Inc.
품질 MRFE6VP61K25GNR6 공장

MRFE6VP61K25GNR6

RF Power Discrete Transistors
NXP 반도체
품질 BLF984PSU 공장

BLF984PSU

RF Power Discrete Transistors
앰프리언 미국 Inc.
품질 QPA0004 공장

QPA0004

RF Amplifier
큐오르보
품질 C1-12Z 공장

C1-12Z

RF Power Discrete Transistors
NXP 반도체
품질 BLP05H635XRY 공장

BLP05H635XRY

RF Power Discrete Transistors
앰프리언 미국 Inc.
품질 MMRF1312HR5 공장

MMRF1312HR5

RF Power Discrete Transistors
NXP 미국 Inc.
품질 BLF6G20-180PN112 공장

BLF6G20-180PN112

RF Power Discrete Transistors
앰프리언 미국 Inc.
품질 2N3632 공장

2N3632

RF Power Discrete Transistors
NXP 반도체
품질 BLM7G1822S-20PBGY 공장

BLM7G1822S-20PBGY

RF Amplifier
앰프리언 미국 Inc.
품질 BLM10D2327-40ABZ 공장

BLM10D2327-40ABZ

RF Amplifier
앰프리언 미국 Inc.
품질 TGA2963 공장

TGA2963

RF Amplifier
큐오르보
품질 QPD1029L 공장

QPD1029L

RF Power Discrete Transistors
큐오르보
품질 BLM9D3538-12AMZ 공장

BLM9D3538-12AMZ

RF 증폭기
앰프리언 미국 Inc.
품질 QPD1022 공장

QPD1022

RF Power Discrete Transistors
큐오르보
품질 TGF2934 공장

TGF2934

RF Power Discrete Transistors
큐오르보
품질 A2T07D160W04SR3 공장

A2T07D160W04SR3

RF Power Discrete Transistors
NXP 미국 Inc.
품질 QPA2212 공장

QPA2212

RF Amplifier
큐오르보
품질 BLC9H10XS-350AY 공장

BLC9H10XS-350AY

RF Power Discrete Transistors
앰프리언 미국 Inc.
품질 TP5002S 공장

TP5002S

RF Power Discrete Transistors
NXP 반도체
품질 MRFE6VP61K25HSR5 공장

MRFE6VP61K25HSR5

RF Power Discrete Transistors
NXP 반도체
품질 BLC9H10XS-500AY 공장

BLC9H10XS-500AY

RF Power Discrete Transistors
앰프리언 미국 Inc.
품질 PTB20091 공장

PTB20091

RF Power Discrete Transistors
NXP 반도체
품질 A2T09D400-23NR6 공장

A2T09D400-23NR6

RF Power Discrete Transistors
NXP 미국 Inc.
품질 BLM7G1822S-80ABGY 공장

BLM7G1822S-80ABGY

RF Amplifier
앰프리언 미국 Inc.
품질 ART2K0FEGJ 공장

ART2K0FEGJ

RF Power Discrete Transistors
앰프리언 미국 Inc.
품질 QPD1026L 공장

QPD1026L

RF Power Discrete Transistors
큐오르보
품질 QPA9419 공장

QPA9419

RF Amplifier
큐오르보
품질 TGA2578 공장

TGA2578

RF Amplifier
큐오르보
품질 BLC9H10XS-505AZ 공장

BLC9H10XS-505AZ

RF Power Discrete Transistors
앰프리언 미국 Inc.
품질 BLC9G27XS-380AVTY 공장

BLC9G27XS-380AVTY

RF Power Discrete Transistors
앰프리언 미국 Inc.
품질 BLM8G0710S-30PBY 공장

BLM8G0710S-30PBY

RF 증폭기
앰프리언 미국 Inc.
품질 BLM10D3438-70ABGZ 공장

BLM10D3438-70ABGZ

RF Amplifier
앰프리언 미국 Inc.
품질 MRFE6VP6600NR3 공장

MRFE6VP6600NR3

RF Power Discrete Transistors
NXP 반도체
품질 MRFE6VP100HSR5 공장

MRFE6VP100HSR5

RF Power Discrete Transistors
NXP 반도체
품질 C2M60-28 공장

C2M60-28

RF Power Discrete Transistors
NXP 반도체
품질 BLF6G22-45,112 공장

BLF6G22-45,112

RF Power Discrete Transistors
앰프리언 미국 Inc.
품질 QPA2229D 공장

QPA2229D

RF Amplifier
큐오르보
품질 QPA9226 공장

QPA9226

RF Amplifier
큐오르보
품질 MMRF1304GNR1 공장

MMRF1304GNR1

RF Power Discrete Transistors
NXP 반도체
품질 R3005300L 공장

R3005300L

RF 증폭기 5-300MHz NF 5.5dB 이득 31.5dB
큐오르보
품질 CLF1G0035-100PU 공장

CLF1G0035-100PU

RF Power Discrete Transistors
앰프리언 미국 Inc.
품질 MMRF1310HSR5 공장

MMRF1310HSR5

RF Power Discrete Transistors
NXP 반도체
품질 UTV040F 공장

UTV040F

RF Power Discrete Transistors
NXP 반도체
품질 MRFE6VP6600GNR3 공장

MRFE6VP6600GNR3

RF Power Discrete Transistors
NXP 반도체
품질 BLC10G19XS-551AVY 공장

BLC10G19XS-551AVY

RF Power Discrete Transistors
앰프리언 미국 Inc.
품질 BLC9H10XS-300PY 공장

BLC9H10XS-300PY

RF Power Discrete Transistors
앰프리언 미국 Inc.
품질 SRF820H 공장

SRF820H

RF Power Discrete Transistors
NXP 반도체
품질 TPV364 공장

TPV364

RF Power Discrete Transistors
NXP 반도체
318 319 320 321 322