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전자 반도체

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품질 HMC641LP4ETR 공장

HMC641LP4ETR

IC SWITCH SP4T NON-REFL 24-QFN
ADI / 아날로그 디바이스주 Inc.
품질 UPG2408TB-A 공장

UPG2408TB-A

IC MMIC SPDT SWITCH 6-MINIMOLD
품질 MASW-008955-TR3000 공장

MASW-008955-TR3000

SWITCH SP3T ASSYMETRICAL 8DFN
M/A-Com 기술
품질 ADG919BRMZ 공장

ADG919BRMZ

IC SW SPDT 2:1 REFL MUX 8-MSOP
ADI / 아날로그 디바이스주 Inc.
품질 4231-52 공장

4231-52

IC RF SWITCH SPDT 75 OHM 8MSOP
p세미
품질 UPG2409T6X-E2-A 공장

UPG2409T6X-E2-A

IC SW SPDT 50MHZ-6GHZ 6-TSON
품질 PE42820MLBA-X 공장

PE42820MLBA-X

IC RF SWITCH SPDT 50 OHM 32QFN
p세미
품질 MASW-010647-13950G 공장

MASW-010647-13950G

SWITCH SP2TM DIE
M/A-Com 기술
품질 HMC547LP3TR 공장

HMC547LP3TR

IC MMIC SWITCH SPDT 16QFN
ADI / 아날로그 디바이스주 Inc.
품질 MASW-011030-14040T 공장

MASW-011030-14040T

IC RF SWITCH SP3T 100W 16HQFN
M/A-Com 기술
품질 HMC922LP4ETR 공장

HMC922LP4ETR

IC MMIC SWITCH SPDT DIFF 24-QFN
ADI / 아날로그 디바이스주 Inc.
품질 PE42524A-X 공장

PE42524A-X

IC RF SWITCH SPDT FCD
p세미
품질 UPG2159T5K-E2-A 공장

UPG2159T5K-E2-A

IC SWITCH SPDT 6-TSON
품질 RF5633TR13 공장

RF5633TR13

RF Amplifier 3.3 - 3.8 GHz 34 dB
큐오르보
품질 QPA2309 공장

QPA2309

RF Amplifier
큐오르보
품질 MHT1008NT1 공장

MHT1008NT1

RF Power Discrete Transistors
NXP 미국 Inc.
품질 BLA9H0912L-250U 공장

BLA9H0912L-250U

RF Power Discrete Transistors
앰프리언 미국 Inc.
품질 BLF242 공장

BLF242

RF Power Discrete Transistors
NXP 반도체
품질 TGF3015-SM 공장

TGF3015-SM

RF 전력 이산 트랜지스터
큐오르보
품질 A3I25X050GNR1 공장

A3I25X050GNR1

RF Amplifier
NXP 반도체
품질 C4H10P600AY 공장

C4H10P600AY

RF Power Discrete Transistors
앰프리언 미국 Inc.
품질 MRFE6VP5150NR1 공장

MRFE6VP5150NR1

RF Power Discrete Transistors
NXP 반도체
품질 TGA2814 공장

TGA2814

Amplifier, Power, 3.1- 3.6 GHz, 80W, 22 dB, 30V, DIE, GaN
큐오르보
품질 MD8IC970GNR1 공장

MD8IC970GNR1

RF Amplifier
NXP 반도체
품질 BLF8G22LS-160BV11 공장

BLF8G22LS-160BV11

RF Power Discrete Transistors
앰프리언 미국 Inc.
품질 RFCA3828TR13 공장

RFCA3828TR13

RF Amplifier CATV, 0.05 - 1.2 GHz 22.5dBm,22 dB, 75Ohm
큐오르보
품질 RF5632TR13 공장

RF5632TR13

RF Amplifier 2.3 - 2.7 GHz 36 dB
큐오르보
품질 MMRF1015NR1 공장

MMRF1015NR1

RF Power Discrete Transistors
NXP 반도체
품질 SD1222 공장

SD1222

RF Power Discrete Transistors
NXP 반도체
품질 AFT27S010NT1 공장

AFT27S010NT1

RF Power Discrete Transistors
NXP 반도체
품질 BLV861 공장

BLV861

RF Power Discrete Transistors
NXP 반도체
품질 QPA9501 공장

QPA9501

RF Amplifier
큐오르보
품질 TQP9221 공장

TQP9221

RF Amplifier
큐오르보
품질 BLP10H660PGY 공장

BLP10H660PGY

RF 전력 이산 트랜지스터
앰프리언 미국 Inc.
품질 BLS7G2730LS-200PU 공장

BLS7G2730LS-200PU

RF Power Discrete Transistors
앰프리언 미국 Inc.
품질 PT9700 공장

PT9700

RF Power Discrete Transistors
NXP 반도체
품질 A5G23H110NT4 공장

A5G23H110NT4

RF 전력 이산 트랜지스터
NXP 미국 Inc.
품질 BLP05H6700XRY 공장

BLP05H6700XRY

RF Power Discrete Transistors
앰프리언 미국 Inc.
품질 MRFX600HR5 공장

MRFX600HR5

RF Power Discrete Transistors
NXP 반도체
품질 BLS9G2731LS-400U 공장

BLS9G2731LS-400U

RF Power Discrete Transistors
앰프리언 미국 Inc.
품질 QPA2212T 공장

QPA2212T

RF Amplifier
큐오르보
품질 BLX65E 공장

BLX65E

RF Power Discrete Transistors
NXP 반도체
품질 A3I20X050GNR3 공장

A3I20X050GNR3

RF Power Discrete Transistors
NXP 미국 Inc.
품질 BLC10G22XS-400AVTZ 공장

BLC10G22XS-400AVTZ

RF 전력 이산 트랜지스터
앰프리언 미국 Inc.
품질 A5G26H110NT4 공장

A5G26H110NT4

RF Power Discrete Transistors
NXP 미국 Inc.
품질 AFV10700HSR5 공장

AFV10700HSR5

RF Power Discrete Transistors
NXP 미국 Inc.
품질 MMRF5014HR5 공장

MMRF5014HR5

RF Power Discrete Transistors
NXP 반도체
품질 BLF368 공장

BLF368

RF 전력 이산 트랜지스터
NXP 반도체
품질 BLF6G22LS-100,112 공장

BLF6G22LS-100,112

RF Power Discrete Transistors
앰프리언 미국 Inc.
품질 AFT27S006NT1 공장

AFT27S006NT1

RF Power Discrete Transistors
NXP 반도체
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