IRF7401TRPBF INFINEON N-Channel MOSFET SO-8 20V 5.7A 낮은 저항, 높은 전류 처리 및 효율적인 스위칭

제품 개요

IRF7401TRPBF는 고성능N 채널 MOSFET효율적인 스위치 및 증폭을 요구하는 다양한 응용 프로그램에 설계되었습니다. 낮은 전원 저항과 높은 전류 처리 능력으로 알려진 이 MOSFET은 전력 관리에 이상적입니다.,전자 시스템에서 로드 스위칭과 DC-DC 변환

주요 특징

• 낮은 온 저항 (Rds(on)):0.022Ω4.5V에서 최소 전력 손실과 높은 효율을 보장합니다.
• 높은 드레인 소스 전압 (Vds):20V, 다양한 저전압 애플리케이션에 적합합니다.
• 높은 연속 배수 전류 (Id):5.7A, 상당한 전류 부하를 처리 할 수있는 능력을 제공합니다.
• 낮은 게이트 문장 전압 (Vgs(th)):1V ~ 3V, 쉽게 제어하고 빠르게 전환 할 수 있습니다.
• 전체 게이트 요금 (Qg):9.7nC 4.5V, 낮은 게이트 드라이브 전력으로 효율적인 전환을 허용합니다.
• 컴팩트 패키지:SO-8표면 장착, 콤팩트하고 공간 제한 설계에 쉽게 통합을 촉진합니다.
• 넓은 작동 온도 범위:-55°C ~ +150°C다양한 환경 조건에서 안정적인 성능을 보장합니다.
• 높은 권력 분산:2.5W, 장치가 과열되지 않고 상당한 전력 부하를 처리 할 수 있습니다.
• RoHS 준수: 환경 규정을 준수하여 친환경 설계에 사용할 수 있습니다.

기술 사양

• 종류: N 채널 MOSFET
• Vds (수출원 전압): 20V
• Rds (동) (동 저항): 0.022Ω @ 4.5V
• id (연속 배수 전류): 5.7A
• Vgs ((th) (문 문 턱 전압): 1V ~ 3V
• Qg (총 포트 요금): 9.7nC @ 4.5V
• 패키지 종류: 표면 장착, SO-8
• 작동 온도 범위: -55°C ~ +150°C
• 권력 분산: 2.5W
• 준수: RoHS 준수

응용 분야

• 전력 관리: 효율적인 에너지 분배 및 제어를 보장하는 전력 관리 회로에서 사용하기에 이상적입니다.
• 로드 전환: 소비자 전자제품 및 산업 장비 등 다양한 전자 애플리케이션에서 로드를 전환하는 데 적합합니다.
• DC-DC 변환: DC-DC 변환기의 효율성과 신뢰성을 높여 낮은 전원 저항과 빠른 전환을 제공합니다.
• 휴대용 장치: 휴대용 전자 장치에 통합 할 수있는 완벽한 제품, 콤팩트한 패키지에서 높은 성능을 제공합니다.
• 자동차 전자기기: 가혹한 환경에서도 자동차 애플리케이션에서 안정적인 작동을 보장합니다.

설치 및 사용

IRF7401TRPBF는 표면 마운트 기술 (SMT) 를 위해 설계되었으며인쇄 회로 보드 (PCB)최적의 성능과 신뢰성을 달성하기 위해서는 적절한 취급과 배치가 필수적입니다.

구매 하는 이유

IRF7401TRPBF를 선택하면고품질 N 채널 MOSFET와 함께낮은 전원 저항, 높은 전류 처리 및 효율적인 전환이 구성 요소는 전자 회로의 성능과 신뢰성을 향상시켜지속적이고 효율적인 성능.

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