NPT1012B
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제조 업체:
MACOM
기술:
RF JFET 트랜지스터 DC-4.0GHz P1dB 43dBm Gain 13dB GaN
범주:
전자 반도체
상술
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN Si
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
Screw
Gain ::
13 dB
Transistor Type ::
HEMT
Pd - Power Dissipation ::
44 W
최대 작동 온도::
+ 200 Ｃ
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
100 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
4 mA
Vgs - 게이트 소스 항복 전압::
3 Ｖ
Manufacturer ::
MACOM
소개
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| 이미지 | 부분 # | 기술 | |
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