T1G3000532-SM
상술
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
장착 스타일::
SMD/SMT
Gain ::
15.7 dB
트랜지스터 유형::
HEMT
Pd - Power Dissipation ::
9.1 W
Package / Case ::
QFN-32
Output Power ::
5.7 W
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
32 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
0.6 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 2.7 V
Manufacturer ::
Qorvo
소개
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