T1G2028536-FS
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제조 업체:
큐오르보
기술:
RF JFET Transistors DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
범주:
전자 반도체
상술
Transistor Polarity ::
N-Channel
기술 ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
18 dB
트랜지스터 유형::
HEMT
Output Power ::
260 W
Pd - 전력 소모 ::
288 Ｗ
Maximum Operating Temperature ::
+ 250 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
36 V
Packaging ::
Tray
Maximum Drain Gate Voltage ::
48 V
Id - Continuous Drain Current ::
24 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
145 V
Manufacturer ::
Qorvo
소개
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