NE3508M04-T2-A
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제조 업체:
셀
기술:
RF JFET Transistors L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET
범주:
전자 반도체
상술
트랜지스터 극성::
엔-채널
Technology ::
GaAs
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
얻다 ::
14 dB
Transistor Type ::
HFET
Pd - 전력 소모 ::
175 mW
Package / Case ::
FTSMM-4 (M04)
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
4 V
Packaging ::
Reel
Id - Continuous Drain Current ::
120 mA
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 3 V
Manufacturer ::
CEL
소개
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