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ATF-501P8-TR1

제조 업체:
에바고 / 브로드컴
기술:
RF JFET 트랜지스터 Transistor GaAs High Linearity
범주:
전자 반도체
상술
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 5 V to 0.8 V
Technology ::
GaAs
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
15 dB
Transistor Type ::
EpHEMT
Pd - Power Dissipation ::
3.5 W
Package / Case ::
LPCC-8
최대 작동 온도::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
7 V
Packaging ::
Reel
Maximum Drain Gate Voltage ::
- 5 V to + 1 V
Id - 연속 드레인 전류::
1 A
Manufacturer ::
Avago / Broadcom
소개
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