NPT2022
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제조 업체:
MACOM
기술:
RF JFET Transistors DC-2.0GHz 100W Gain 20dB GaN HEMT
범주:
전자 반도체
상술
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN Si
상품 카테고리 ::
RF JFET 트랜지스터
Mounting Style ::
Screw
얻다 ::
21 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
100 W
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
160 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
24 mA
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
3 V
Manufacturer ::
MACOM
소개
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| 이미지 | 부분 # | 기술 | |
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MACOM RF 반도체 MADP-007167-0287AT |
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